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hakuto离子刻蚀机 7.5IBE 用于芯片制造中厚铝刻蚀

  • 发布日期:2020-12-31 10:06
  • 有效期至:长期有效
  • 项目招商区域:全国
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详细说明
 在高压、大功率器件及集成电路中铝布线要求能够承受高压、大电流在恶劣的环境下具备良好的可靠性因此需要一定的铝.

 

沈阳某研究所采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片制造中厚铝刻蚀.

 

Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:

真空腔

1 set, 主体不锈钢,水冷

基片尺寸

1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,

离子源

ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75

离子束入射角

0 Degree± 90 Degree

极限真空

1x10-4 Pa

刻蚀性能

一致性: ≤±5% across 4”

 

 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75


 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                      T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw

伯东版权所有翻拷必究!

 

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